供应国产3DD175(3DD176)NPN硅低频大功率晶体管
地区：陕西 西安
认证：
无
图文详情
产品属性
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特点 产品采用三重扩散工艺，抗烧毁能力强，二次击穿耐量高，温度稳定性好，抗热疲劳能力强
应用范围 低速开关，低频功率放大，电源调整
试用温度范围 -55 --- 175℃
质量等级 国军标JP
执行标准 GJB33-97
极限参数
| 项 目 | 符 号 | 测试条件 | 规 格 | 单位 | |||||
| A | B | C | D | E | F | ||||
| 集电极-发射极电压 | VCEO | | 50 | 100 | 150 | 200 | 250 | 300 | V |
| 集电极-基极电压 | VCBO | | 5 | V | |||||
| 最大集电极电流 | ICM | | 30 | A | |||||
| 最大集电极耗散功率 | PCM | | 300 | W | |||||
| 最高结温 | Tjm | TC≤75℃ | 175 | ℃ | |||||
| 存储温度 | Tjstg | | -55--- 175 | ℃ | |||||
hFE色标
| 颜色 | 红 | 橙 | 黄 | 绿 | 蓝 | 紫 |
| hFE | 15-25 | 25-40 | 40-55 | 55-80 | 80-120 | 120-180 |
国产
3DD1753DD176NPN
微波
NPN管
大功率三极管（>1W）W
单极性（MOS/MES）
硅
其他
扩散性三极管
见说明MHz
