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产品属性
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产品参数:
加工定制: | 否 | 品牌: | Honeywell/霍尼韦尔 |
型号: | SS461A | 种类: | 位置 |
材料: | 混合物 | 材料物理性质: | 半导体 |
材料晶体结构: | 多晶 | 制作工艺: | 薄膜 |
输出信号: | 数字,开路集电极 | 防护等级: | a |
Bipolar工艺,有反相电压保护
动作/释放点(Bop/Brp):+/-120G(典型值)
供电电压(Vs):3.8-30Vcd
工作温度范围(Working Temp):-40~150℃
输出类型(Output):集电极开路电压输出
霍尔元件的分类
按照霍尔元件的功能可将它们分为: 霍尔线性器件 和 霍尔开关器件 。前者输出模拟量,后者输出数字量。 按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性,后者是检测受检对象上人为设置的磁场,用这个磁场来作被检测的信息的载体,通过它,将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等,转变成电量来进行检测和控制。
霍尔开关
按照霍尔开关的感应方式可将它们分为:单极性霍尔开关、双极性霍尔开关、全极性霍尔开关。 单极性霍尔开关的感应方式:磁场的一个磁极靠近它,输出低电位电压(低电平)或关的信号,磁场磁极离开它输出高电位电压(高电平)或开的信号,但要注意的是,单极性霍尔开关它会指定某磁极感应才有效,一般是正面感应磁场S极,反面感应N极。 双极性霍尔开关的感应方式:因为磁场有两个磁极N、S(正磁或负磁),所以两个磁极分别控制双极性霍尔开关的开和关(高低电平),它一般具有锁定的作用,也就是说当磁极离开后,霍尔输出信号不发生改变,直到另一个磁极感应。另外,双极性霍尔开关的初始状态是随机输出,有可能是高电平,也有可能是低电平。 全极性霍尔开关的感应方式:全极性霍尔开关的感应方式与单极性霍尔开关的感应方式相似,区别在于,单极性霍尔开关会指定磁极,而全极性霍尔开关不会指定磁极,任何磁极靠近输出低电平信号,离开输出高电平信号。
线性霍尔
线性霍尔元件是一种模拟信号输出的磁传感器,输出电压随输入的磁力密度线性变化。 线性霍尔效应传感器 IC 的电压输出会精确跟踪磁通密度的变化。在静态(无磁场)时,从理论上讲,输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。相反,增加北极磁场将增加来自其静态电压的电压。这些部件可测量电流的角、接近性、运动及磁通量。它们能够以磁力驱动的方式反映机械事件。 线性霍尔元件是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性,一般应用于调速,测电压、电流、功率、厚度、线圈匝数等等。
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我司主要经营的品牌有:
下面带来几款热销型号:
产品图片 | 型号 | 名称 | 参数 | 封装 |
| SS443A | 开关量单极霍尔 | Bipolar工艺,有反相电压保护 动作/释放点(Bop/Brp):215-80G(典型值) | T0-92 |
| SS441A | 开关量单极霍尔 | Bipolar工艺,有反相电压保护 动作/释放点(Bop/Brp):115-20G(典型值) | T0-92 |
| SS495A | 线性霍尔 | 供电电压(Vs):4.5-10.5Vcd | T0-92 |
| SS513AT | 开关量双极霍尔 | Bipolar工艺,有反相电压保护 动作/释放点(Bop/Brp):+/-50G(典型值) | T0-92 |
| SS41 | 开关量双极霍尔 | Bipolar工艺,有反相电压保护 动作/释放点(Bop/Brp):+/-60G(典型值) | TO-92 |
| SS49E | 线性霍尔 | 供电电压(Vs):2.7-6.5Vcd | T0 |
以上产品主要应用于:
公司简介:
我是一家专业从事电子电气元器件、技术服务型企业,通过几年的发展,与世界知名品牌如:Honeywell、SQUARE D等公司建立良好的合作关系,电子事业部主营HONEYWELL品牌传感器,已经在汽车电子类,(里程表转速传感器、齿轮转速传感器、防夹电机、座椅电机、换挡器)、无刷电机、工业仪表、工业缝纫机等领域有着最典型的运用。电气事业部主营SQUARE D品牌电气元件,主要运用于冶金、化工、机械制造等行业,企业秉承质量、价格、服务优势竭诚希望能与您建立友好合作关系,携手共进,共创美好未来。
除以上产品,另外还供应:SQUARE D品牌电气元件、HONEYWELL品牌传感器、霍尔效应传感器 霍尔传感器、单极霍尔、双极霍尔、全极霍尔、线性霍尔、接近传感器、VRS速度传感器 、非接触旋转位置传感器、接触式位置传感器 、速度与方向传感器等等,等多详情请致电我们!
SS461A
HONEYWELL(霍尼韦尔)
混合物
半导体
多晶
薄膜