供应KE4CN2L2HA5A2A

设备是一个Multi-Chip包内存相结合e•MMC DDR2™和低权力

同步动态随机存取存储器。e•MMC™是一个嵌入式闪存存储解决方案

MultiMediaCard接口(e•MMC™)。e•MMC™直接管理NAND闪存控制器,包括

ECC、耗损均衡IOPS优化和阅读感觉。e•MMC™开发普遍低

成本数据存储和通信媒体。e•MMC™是完全兼容MMC总线和主机。

授权一个新的e•MMC™4.5引导等功能集和RPMB分区,HPI,背景

操作和HW重置与非最优装置可靠代码和数据存储。

e•MMC™使用先进的多层细胞(多层陶瓷)NAND闪存技术,增强了嵌入式

闪存管理软件运行flash控制器固件,一个聪明

控制器,它法师接口协议、数据存储和检索,纠错码(ECC)

算法,缺陷处理和诊断、电源管理和时钟控制。

LPDDR2-S4使用双倍数据速率架构在命令/地址(CA)公共汽车来减少

在系统中输入插脚。10-bit CA总线包含命令、地址和银行

信息。每个命令使用一个时钟周期,在此期间指挥信息传输

积极的和消极的边缘的时钟。LPDDR2-S4使用双倍数据速率架构上

入针来实现高速操作。双数据率结构本质上是一个4 n预取

架构与设计一个接口将两个数据位/ DQ每个时钟周期的I / O

别针。一个读或写访问LPDDR2-S4有效地由一个宽4 n-bit,

时钟周期数据传输为核心的内部SDRAM和四个相应n-bit宽,one-half-clock -

循环数据传输在I / O别针。读和写访问由面向破裂;

访问从一开始选择的位置和持续在一个程序的位置

编程序列。