H8ACU0CE0BBR-36M-C

H8ACU0CE0BBR-36M-C特性

[MCP]
●工作温度- 30°C?85 O C
●Packcage- 107球FBGA - 10.5x13mm21.2吨，0.8mm间距- 铅和卤素免费[NAND闪存]
●多平面架构
●电源电压 - VCC= 2.5 V?3.0 V
●存储单元阵列- （512+16）字节x32页x4096块
●页面大小- （512+16备用）字节
●块大小- （16K+512备用）字节
●页读/编程- 随机存取：12US（最大）- 顺序访问：30ns的（最小）- 页方案：200us的时间（典型值）
●复制回计划模式- 自动闭塞下载无需等待时间
●快速块擦除- 块擦除时间为1.5ms（典型值）
●状态寄存器 - 正常状态寄存器（读/编程/擦除）- 扩展状态寄存器（EDC）
●电子签名- 第一个周期：制造商代码- 第二个周期：设备代码
●芯片使能不在乎- 简单的接口与微控制器
●硬件数据保护- 编程/擦除锁定在电源转换。
●数据保留- 100,000编程/擦除周期（ECC1bit/528byte） - 10年数据保存期[SDR SDRAM]
●标准SDRAM协议
●x16总线宽度
●电源电压- VDD/ VDDQ=1.7 - 1.95 V
●LVCMOS兼容的I / O接口
● 存储单元阵列 - 4MB所述有4Bank×16的I / O
●输入数据屏蔽信号（DQM）
●MRS，EMRS- JEDEC标准保证
●CAS延迟时间 - 支持可编程CAS延时2或3
●突发长度- 可编程突发长度2/4/8两个顺序TiAl基合金和交织模式