供应H9TP32A8JDACPR-KGM

兴达电子股份有限公司

现货供应 H9TP32A8JDACPR-KGM

原装现货

QQ1120903546

HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：       HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14     整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。     颗粒编号解释如下：     1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。     2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）     3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）     4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）     5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）     6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）     7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）     8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）     9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）     10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））     11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））     12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）     13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）     14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））