供应 存储器 IS61WV102416DBLL-10TLI

半导体存储器（semi-conductor memory）是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器，内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM）。体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。

按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM）RAM包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。ROM 主要用于BIOS存储器。按制作工艺分类可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。按存储原理分类可分为：静态和动态两种。

优点体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。缺点和磁芯存储器不同的是，半导体存储器属于易失性存储器(Volatile Memory)，在电源中断时会使数据消失，如RAM(Random Access Memory)。 [1]

主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。

主要有：1. 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N2. 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的时间3. 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间4. 平均故障间隔时间MTBF（可靠性）5. 功耗：动态功耗、静态功耗

数据列表IS(61,64)WV102416D(A,B)LL;

SRAM Part Number Guide;

标准包装  96包装  托盘 零件状态在售类别集成电路（IC）产品族存储器系列-

规格存储器类型易失存储器格式SRAM技术SRAM - 异步存储容量16Mb （1M x 16）存储器接口并联写周期时间 - 字，页10ns访问时间10ns电压 - 电源2.4V ~ 3.6V工作温度-40°C ~ 85°C（TA）安装类型表面贴装封装/外壳48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装48-TSOP I