类别分立半导体产品晶体管 - 双极 (BJT) - 单制造商ON Semiconductor系列-包装 散装 零件状态在售晶体管类型PNP电流 - 集电极分立半导体（Ic）（最大值）500mA电压 - 集射极击穿（最大值）20V不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）600mV @ 50mA，500mA电流 - 集电极截止（最大值）100nA（ICBO）不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）144 @ 50mA，1V功率 - 最大值625mW频率 - 跃迁-工作温度150°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA分立半导体）。分立半导体电子产品根据其导电性能分为"导体"和"绝缘体"半导体介于"导体"和"绝缘体"之间,半导体元器件以封装形式又分为“分立”和“集成”如：二极管、三极管、晶体管等。分立半导体2010年全球半导体市场将较上年同期低迷的水平实现有史以来最大规模的增长，这主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增长。2010年全球半导体市场规模达2910亿美元，同比增长约30%；2011年规模为3079亿美元，同比增长5.8%。这一切要归功于杀手级产品，如智能手机、平板电脑、电子书及游戏机等终端电子产品的推动,以及实际上半导体产业是受2008与2009年的两年下降,而积聚的向上能量。全球DRAM市场总体供过于求状况持续加剧，2011年全球DRAM市场位元产能将增长58.7%，高于需求增速31.5个百分点，过剩产能占比达28.2%。中国2012年LED市场规模将达605亿元，2008-2012年年复合增长率达34%。至2015年LED芯片自给率将达70%。2010年1-11月国内元器件各细分产品PCB、电容、电阻、电感器件、电声器件、磁材料及器件、电接插元件出口同比增长分别为32.74%、44.62%、41.30%、54.31%、36.04%、43.75%、39.59%。
