供应PE4259-63

产品说明

该PE4259的UltraCMOS ™射频开关被设计为覆盖广泛的，通过3000兆赫从近DC应用。这种反射开关集成

主板上的CMOS控制逻辑用低电压CMOS兼容的控制接口，并且可以使用单针或互补的控制来控制输入。使

用标称值为+ 3伏电源电压，典型可以实现33.5 dBm的输入1 dB压缩点。该PE4259 SPDT高功率的

UltraCMOS ™射频开关在百富勤的专利超薄硅制造（ UTSi® ） CMOS工艺，提供GaAs组成与性能经济一体化

和传统的CMOS 。