供应SI4466DY-T1-E3半导体

地区:广东 深圳
认证:

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 一般信息
数据列表SI4466DY

标准包装  1包装  Digi-Reel® 卷带 类别分立半导体产品产品族FET - 

单系列TrenchFET®其它名称SI4466DY-T1-E3DKR  

规格
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.5A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 13.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 60nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
功率 - 最大值 1.5W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO

型号

SI4466DY-T1-E3

品牌

VISHAY

封装

SOP-8

数量

25000