供应K6X4008T1F-UF70
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型号:K6X4008T1F-UF70
低功耗和低电压CMOS静态RAM特点•工艺技术:全CMOS•组织: 512K × 8•电源电压: 2.7 〜 3.6V•低数据保持
电压: 2V (最小值)•三态输出•封装类型: 32 - SOP- 525 , 32 TSOP2-400F / R32-TSOP1-0813.4FCMOS SR
AM概述该K6X4008T1F家庭是由三星公司制造先进的全CMOS工艺技术。家庭支持不同的工作温度范围和具有各
种封装年龄类型的系统设计的用户灵活性。家属还支持低数据保持电压为电池备份操作低数据保持电流
K6X4008T1F-UF70
SAMSUNG
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3000