基准电压是指传感器置于0℃的温场（冰水混合物），在通以工作电流（100μA）的条件下，传感器上的电压值。实际上就是0点电压。其表示符号为V（0），该值出厂时标定，由于传感器的温度系数S相同，则只要知道基准电压值V（0），即可求知任何温度点上的传感器电压值，而不必对传感器进行分度。在要求绝对测量的应用场合，其准确度受使用基准值的准确度的限制。但是在许多系统中稳定性和重复性比绝对精度更重要；而在有些数据采集系统中电压基准的长期准确度几乎完全不重要，但是如果从有噪声的系统电源中派生基准就会引起误差。单片隐埋齐纳基准(如AD588和AD688)在10 V时具有1 mV初始准确度(0.01 %或100 ppm)， 温度系数为1.5 ppm/°C。这种基准用于未调整的12位系统中有足够的准确度(1 LSB=244 ppm)，但还不能用于14或16位系统。如果初始误差调整到零，在限定的温度范围内可用于14位和16位系统(AD588或AD688限定40℃温度变化范围，1 LSB=61 ppm)。对于要求更高的绝对精度，基准的温度需要用一个恒温箱来稳定，并对照标准校准。在许多系统中，12位绝对精度是不需要这样做的，只有高于12位分辨率才可能需要。对于准确度较低(价格也会降低)的应用，可以使用带隙基准。基准电压源是一种在工艺、电源电压、温度变化时能够提供稳定输出电压的电路。基准电压源广泛应用于数据转换器、智能传感器和电源转换器等电路中。 [1] 基准电压源是模拟集成电路的重要组成部分，在许多集成电路中都需要精密又稳定的电压基准，如模数转换器、数模转换器、线性稳压器和开关稳压器。目前采用的基准电压源设计方法主要有三种：掩埋齐纳二极管、XFET（外加离子注入结型场效应管）和带隙基准电压源，带隙基准电压源包括双极型和 CMOS 带隙基准源 。掩埋齐纳二极管基准电压源和 XFET 基准电压源都具有精度高、稳定性好的特点，但是二者的制造过程不能与标准 CMOS 工艺兼容，并且掩埋齐纳二极管基准源的电源电压高、工作电流大、功耗大。基准电压源设计的关键点在于精度高、温漂小，带隙基准电压源利用硅的能带隙作为基准电压，可以实现高精度，采取一些温度补偿的办法，可得到几乎不受温度影响的基准电压。 [2] 参考资料
