功率场效应晶体管NX7002AK 低压N沟道 SOT23

产品介绍：

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。NX7002AK是低压N沟道MOS管，以下是我司供应产品介绍。

MOSFET管特征：

（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；

（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管的抗辐射能力强；

（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

MOSFET管参数：

制造商: Nexperia

产品种类: MOSFET

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 190 mA

Rds On-漏源导通电阻: 4.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 0.33 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 325 mW

外观图片：

应用场景：

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。

公司介绍/优势库存：

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主营范围：代理品牌：EVERLIGHT（亿光），SHARP（夏普），RENESAS（瑞萨），RAMTRON（铁电） 主要分销品牌：FAIRCHILD（仙童），TI（德州），ST（意法半导体），ON（安信美），NS（国半），ATMEL（爱特梅尔），NXP（恩智浦），MICROCHIP（美国微芯科技）， SAMSUNG（三星），YAGEO（国巨），UNIOHM（厚声）