BSH111 SOT23 NXP/恩智浦 100%原装进口现货 可出样！

标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 TrenchMOS™
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 335mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 40pF @ 10V
功率 - 最大值 830mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 TO-236AB 
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