FGA25N120ANTDTU-F109 1200V IGBT晶体管

FGA25N120ANTDTU-F109 1200V IGBT晶体管

产品种类: IGBT晶体管

封装: TO-3P

集电极—发射极最大电压 Vceo: 1200 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

集电极电流 Ic: 25 A

工作温度: -55℃——+150℃

Pd-功率耗散: 312 W

总栅极电荷：200 nC

IGBT晶体管FGA25N120ANTDTU-F109具有NPT沟道技术，低饱和电压，低开关损耗和增强的雪崩能力的特点，广泛应用于感应加热，微波炉。