MMBT5551LT1G 品牌ON 封装SOT23

MMBT5551LT1G 品牌ON 封装SOT23

产品目录绘图：Transistor SOT-23-3 Pkg

标准包装：3000

系列：-

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大）：600mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：160V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大）：100nA

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 10mA，5V

功率 - 最大：225mW

频率 - 转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）

包装：标准包装

产品目录页面：1560 (CN2011-ZH PDF)

其它名称：MMBT5551LT1GOSDKR

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