BAT17-04E6327Infineon肖特基二极管整流器

地区:广东 深圳
认证:

深圳市中立信电子科技有限公司

金牌会员12年

全部产品 进入商铺

公司简介:

我们依托公司库存产品的优势 为客户解决资金和供应链问题,对于冷偏门军工停产产品我们采用库存现货+期货的方式以满足不同客户的长期生产需求.我们承诺公司只售卖原厂正规渠道的供货产品。不出售翻新 散新假货等产品.

主营产品

ADI收购Hittite

Hittite我们主要做HMC开头的一些产品 像HMC425ALP4E  HMC241AQS16E  HMC553LC3B HMC835LP6GE

HMC470LP3E HMC476MP86 HMC478MP86E  HMC833LP6GE  HMC472ALP4E   HMC392LC4  HMC547ALP3E

HMC344LH5等等 品种繁多不能一一列举更多的请来电咨询.

ADI的主做军用的像AD603AQ AD693AQ AD595AQ  中间三位数的 还有AD8 .9开头的器件


射频行业叱咤风云的两家厂商RFMD和TriQuint宣布完成对等合并工作,并以全新名称“Qorvo”亮相业界。两家公司实现了在功率放大器、电源管理、天线控制、开关以及优质滤波器等领域的优势互补。未来,移动设备、网络基础设施以及航空航天/国防将是Qorvo重点关注的三大热点市场。

产品:Gain Block、LNA、DVGA、Driver线性放大器、PA功率放大器、GaN功率管、射频开关、移相器、限幅器、数控衰减器、VCO、PLL模块、混频器、SAW/BAW滤波器/双工器、多功能射频芯片/射频前端,4G LTE/WiFi/CATV/光纤/物联网射频解决方案

RFMD代表产品 SBB-5089Z  SBB-4089Z  SBB-3089Z  SBB-2089Z SBB-1089Z SPF-5043Z SPF-5122Z    RFFC5071 RFFC5072  RFFC2072 RFFC2071 RFRC5071A RFFC5072A RFFC2072A  RFFC2071A  NBB-300-T1  NBB-400-T1  NBB-500-T1  SGA  SGC SGL开头系列.

TriQuint代表产品 TQP3M9007  TQP3M9008  TQP3M9009 TQP3M9028 TQP3M9037  

TQP7M9103 TQP7M9102  TQP7M91035  AG604-89G AG302-63G SGL0622Z

TGL2201  2205  2208  2209 限幅器 还有雷达方面的器件。PH12142-50M 100M 300M 5M 25M  110M 等NPA1006 NPT1015B

变压器二极管  MABA-007159-000000 MABA-007236-C16423  MABAES0029  MABAES0054  MABAES0060  MABAES0061  MA4P4006F-1091T  MA4P505-1072T  MA4P1250-1072T  MA4P7002F-1072T  MA4P7006F-1072T  MA4P7455-1141T  MA4P7447-1141T  MA4P7470F-1072T BAT17-04E6327BAT17-04E6327BAT17-04E6327BAT17-04E6327



Mini-Circuits 是专业从事射频、中频、微波信号处理器件研发和生产的行业领先厂家。产品频段覆盖 DC-40GHz,广泛应用于 Wimax, CATV, 移动通讯,RFID,医疗设备,测试仪器,接收发器等项目的开发。Mini-Circuits 现有25 种标准化产品线和不断更新的定制化器件共 10000 多款产品,成为行业最大的信号处理器件供应.

滤波器

LFCN-1800+   LFCN-1800D+  LFCN-1700D+  LFCN-1700+  LFCN-190+  LFCN-190D+  LFCN-1200+  LFCN-1200D+  LFCN-2250+  LFCN-2250D+  LFCN-3000+ LFCN-3000D+

MMIC放大器

ERA-1SM+  ERA-2SM+ + ERA-3SM+ ERA-4SM+ ERA-5+ ERA-50SM+ ERA-51SM+ ERA-5SM+ ERA-6SM+ ERA-8SM+ ERA-9SM+



制造商:

Infineon

产品种类:

肖特基二极管与整流器

产品:

Schottky Diodes

安装风格:

SMD/SMT

SMD/SMT

SOT-23-3

If - 正向电流:

130 mA

Vf - 正向电压:

425 mV

配置:

Single

技术:

Si

Ir - 反向电流 :

10 uA

工作温度:

- 55 C

工作温度:

+ 125 C

Pd-功率耗散:

150 mW