IPD35N10S3L26ATMA1 原厂原装，代理渠道

分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel®
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
24 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
2.4V @ 39μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
39 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
2700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散
71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD35N10

型号/规格

IPD35N10S3L26ATMA1

品牌/商标

Infineon Technologies

封装

TO252-3

批号

21+

供应IPD35N10S3L26ATMA1 原厂原装，代理渠道