供应IPD038N06N3G 原厂原装，代理渠道

分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A（Tc）
驱动电压（ Rds On，  Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 
3.8 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th) 
4V @ 90μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 
98 nC @ 10 V
Vgs 
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 
8000 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散 
188W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD038