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TK12A60D介绍:
描述 MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
详细描述 通孔 N 沟道 600V 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 π-MOSVII
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 550 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 45W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220SIS
封装/外壳 TO-220-3 整包
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;
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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值,例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用,晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪讯比等,可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
20世纪80年代以来,东芝从一个以家用电器、重型电机为主体的企业,转变为包括通讯、电子在内的综合电子电器企业。进入90年代,东芝在数字技术、移动通信技术和网络技术等领域取得了飞速发展,成功从家电行业的巨人转变为IT行业的先锋。
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
TO-220-3
Toshiba Semiconductor and Storage
供应SC2440TETRT 集成电路(IC) PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器
供应放大器 LMC6442AIM/NOPB 线性
供应隔离器 ACPL-P314-000E 驱动器
供应AD9884AKS 集成电路(IC) PMIC - 显示器驱动器
供应TLE4263-2ES 集成电路(IC) PMIC - 稳压器 - 线性
供应MT46V16M16P-5B:K集成电路(IC) 存储器
供应XC4005E-1PQ100C 集成电路(IC) 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列)
供应IRS2153DSTRPBF集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器
供应MAX389EWG+ 集成电路(IC) 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器
供应MAX9742ETX+ 原厂原装,力挺实单