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IRLR3110ZTRPBF介绍:
描述 MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述 表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 14 毫欧 @ 38A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3980pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;
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无论多么优良的电子管,晶体管都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因,晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善,晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍,称得起永久性器件的美名。
1998年Infineon公司是全球十大半导体制造商之一。该公司在全球亚、欧、美三大洲5个国家拥有10个制造工厂,在九个国家设有16个研发中心,1998年员工约25,000人,主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
TO-252-3
Infineon Technologies
供应电压基准 LT1461ACS8-2.5#PBF
供应收发器 74ABT162245ADL 逻辑
供应MAX4409ETP+ 原厂原装,力挺实单
供应350-10-106-00-206101 连接器,互连器件 矩形连接器 - 针座,公插针
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供应XC1736EPC 集成电路(IC) 存储器 - 用于 FPGA 的配置 PROM
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