供应FDC6506P 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

地区:广东 深圳
认证:

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零件编号 FDC6506PTR-ND

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

FDC6506P

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 2 个 P 沟道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 1.8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 190pF @ 15V

功率 - 最大值 700mW

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装 SuperSOT™-6

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类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

SOT-23-6

品牌

ON Semiconductor