供应IRF840PBF分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

零件编号 IRF840PBF-ND

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制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

IRF840PBF

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 63nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 125W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

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  芯片是集成电路的统称，分立器件是泛指除集成电路之外的那些器件诸如：三极管、二极管等等，两者是相辅相成互为补充的关系，在构建一个电路解决方案时为了简化硬件结构，提高电路可靠性，常选择以集成电路为主分立元器件为辅的构建思路。