供应晶体管 NX2301P,215 FET

NX2301P,215介绍：

描述 MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 2A（Ta） 400mW（Ta），2.8W（Tc） TO-236AB（SOT23）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 6V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 400mW（Ta），2.8W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.