供应晶体管 STR2N2VH5 MOSFET

STR2N2VH5介绍：

描述 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 38 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 20V 350mW（Tc） SOT-23

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 STripFET™ V

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 4.6nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 367pF @ 16V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 350mW（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。它的结构如图5所示，它的转移特性如图6所示。VP为夹断电压（ID=0）。