供应晶体管 STR2N2VH5 MOSFET

地区:广东 深圳
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STR2N2VH5介绍:

描述 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 38 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 20V 350mW(Tc) SOT-23

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 STripFET™ V

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 2A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA(最小)

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 367pF @ 16V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 350mW(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;

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由于这种结构在VGS=0时,ID=0,称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET,在VGS=0时也有一定的ID(称为IDSS),这种MOSFET称为耗尽型。它的结构如图5所示,它的转移特性如图6所示。VP为夹断电压(ID=0)。

类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

封装

SOT-23-3

品牌

STMicroelectronics