供应晶体管 FDMC8026S MOSFET - 单

FDMC8026S介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP

制造商标准提前期 39 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta），21A（Tc） 2.4W（Ta），36W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®，SyncFET™

包装    带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Ta），21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.4 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 52nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3165pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.4W（Ta），36W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳 8-PowerWDFN

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

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概述

无论一辆汽车它是21世纪20年代初的辅助驾驶汽车，即带有用于信息娱乐系统、传动系统和自主驾驶员辅助系统(ADAS)的智能子网的汽车，还是未来3级 (Level 3)及以上的自动驾驶汽车(在车流中驾驶时只需最少的人力辅助)，网络化交通系统对硬件加速的需求正在迅猛增长。几年前，由Nvidia，Mobileye和其他以CPU为中心的供应商推出的最受青睐的汽车智能模型都假设了一个集中式汽车网络，其中由带有增强DSP功能的多核RISC CPU来管理一套专用的子网络。现在，关注点正在迅速转向分布式汽车智能化，其中包含带有相关视觉系统的复杂相机，具有来自物联网世界的传感器中枢架构的传感器子网络、以及用于车载信息娱乐系统(IVI)和ADAS的附加子网络、以及传动系统/动力系统子网络，共同协作来实现自动驾驶汽车功能。