DMN601TK-7 场效应管

型号：DMN601TK-7

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-523-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 300 mA

Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 150 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.75 mm  

长度: 1.6 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: DMN60  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 0.8 mm  

商标: Diodes Incorporated  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 2 mg

型号：DMN601TK-7

特征

低导通电阻：RDS（ON）

低门限电压

低输入电容

快速切换速度

低输入/输出泄漏

ESD保护高达2kV

完全无铅且完全符合RoHS标准（注1和2）

卤素和无锑。 “绿色”装置（注3）

符合AEC-Q101高可靠性标准

型号：DMN601TK-7

机械数据

表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物。

UL可燃性分类等级94V-0

湿度敏感度：J-STD-020的1级

端子：表面处理 -  Matte Tin在合金42上退火

引线框架。 可根据MIL-STD-202，方法208进行焊接

重量：0.002克（近似值）