2N7002K-7 场效应管

型号：2N7002K-7

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 380 mA

Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 0.3 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 540 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1 mm  

长度: 2.9 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: 2N7002  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 1.3 mm  

商标: Diodes Incorporated  

下降时间: 9.9 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 3.4 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 15.7 ns  

典型接通延迟时间: 3.9 ns  

单位重量: 8 mg

型号：2N7002K-7

特点和好处：

低导通电阻

低输入电容

快速切换速度

低输入/输出泄漏

ESD保护高达2kV

完全无铅且完全符合RoHS标准（注1和2）

卤素和无锑。 “绿色”装置（注3）

符合AEC-Q101高可靠性标准

型号：2N7002K-7

机械数据

表壳材质：模压塑料，“绿色”成型

复合。 UL可燃性分类等级94V-0

湿度敏感度：J-STD-020的1级

端子：完成哑光锡退火合金42

引线框架。 可根据MIL-STD-202，方法208进行焊接

重量：0.008克（近似值）