SI1012R-T1-GE3 场效应管

SI1012R-T1-GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SC-75A-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Id-连续漏极电流: 600 mA

Rds On-漏源导通电阻: 700 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 750 pC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 175 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.8 mm  

长度: 1.575 mm  

系列: SI1  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 0.76 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 1 S  

下降时间: 11 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 5 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 25 ns  

典型接通延迟时间: 5 ns  

零件号别名: SI1012R-GE3

SI1012R-T1-GE3

特征：

283/5000

•TrenchFET®功率MOSFET：额定1.8 V

 •栅源ESD保护：2000 V

 •高侧开关

 •低导通电阻：0.7

 •低阈值：0.8 V（典型值）

 •快速切换速度：10 ns

SI1012R-T1-GE3

优点：

 •轻松驾驶开关

 •低偏移（误差）电压

 •低压操作

 •高速电路

 •低电池电压操作