STP100N8F6 场效应管

型号：STP100N8F6

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 100 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 176 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: STripFET

封装: Tube

系列: STP100N8F6  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 21 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 46 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 103 ns  

典型接通延迟时间: 33 ns  

单位重量: 330 mg

型号：STP100N8F6

特征：

极低的导通电阻

门电量非常低

高雪崩坚固性

低栅极驱动功率损耗

型号：STP100N8F6

描述

该器件是N沟道功率MOSFET

使用STripFET™F6技术开发

采用新的沟槽栅极结构。 所结果的

功率MOSFET的RDS（on）非常低

包。