SI2312BDS-T1-GE3 场效应管

SI2312BDS-T1-GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 3.9 A

Rds On-漏源导通电阻: 31 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 7.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 0.75 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.45 mm  

长度: 2.9 mm  

系列: SI2  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 1.6 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 30 S  

下降时间: 10 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 30 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 35 ns  

典型接通延迟时间: 9 ns  

零件号别名: SI2312BDS-GE3  

单位重量: 8 mg

SI2312BDS-T1-GE3

特征：

•无卤素符合IEC 61249-2-21

定义

 •TrenchFET®功率MOSFET

 •100％Rg测试

 •符合RoHS指令2002/95 / EC