STP25NM60N ST意法原装现货供应

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 20 A

Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 25 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 160 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 9.15 mm  

长度: 10.4 mm  

系列: STP25NM60N  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 4.6 mm  

商标: STMicroelectronics  

正向跨导 - 最小值: 17 S  

CNHTS: 8541210000  

下降时间: 24 ns  

HTS Code: 8541210095  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 18 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541210000  

典型关闭延迟时间: 94 ns  

典型接通延迟时间: 24.5 ns  

单位重量: 330 mg