电子烟场效应管

    电子烟场效应管规格：

    制造商:STMicroelectronics

    产品种类:MOSFET

    安装风格:SMD/SMT

    封装/箱体:H2PAK-2

    通道数量:1Channel

    晶体管极性:N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:100V

    Id-连续漏极电流:110A

    RdsOn-漏源导通电阻:3.4mOhms

    Vgsth-栅源极阈值电压:2.5V

    Vgs-栅极-源极电压:20V

    Qg-栅极电荷:117nC

    最小工作温度:-55C

    最大工作温度:+175C

    配置:Single

    Pd-功率耗散:250W

    通道模式:Enhancement

    封装:TapeandReel

    系列:N-channelSTripFET

    晶体管类型:1N-Channel

    商标:STMicroelectronics

    下降时间:33ns

    产品类型:MOSFET

    上升时间:57ns

    工厂包装数量:1000

    子类别:MOSFETs

    典型关闭延迟时间:72ns

    典型接通延迟时间:33ns

    电子烟场效应管特点：

    低压差（1 V典型值）

    2.85 V器件性能适合

    SCSI-2有源终端

    输出电流高达800 mA

    固定输出电压：1.2 V，1.8 V，2.5 V，3.3 V，5.0 V

    可调版本可用性（VREF = 1.25 V）

    内部电流和热限制

    可提供±1％（25°C）和2％（完全）

    温度范围

    电源电压抑制：75 dB（典型值）