增强型结型场效应管

    增强型结型场效应管规格：

    制造商:STMicroelectronics

    安装风格:SMD/SMT

    封装/箱体:TO-252-3

    通道数量:1Channel

    晶体管极性:N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:500V

    Id-连续漏极电流:4.4A

    RdsOn-漏源导通电阻:1.5Ohms

    Vgs-栅极-源极电压:30V

    最小工作温度:-55C

    最大工作温度:+150C

    Pd-功率耗散:70W

    通道模式:Enhancement

    高度:2.4mm

    长度:6.6mm

    系列:STB5NK50Z

    晶体管类型:1N-Channel

    类型:MOSFET

    宽度:6.2mm

    正向跨导-最小值:3.1S

    下降时间:15ns

    产品类型:MOSFET

    上升时间:10ns

    工厂包装数量:2500

    典型关闭延迟时间:32ns

    典型接通延迟时间:15ns

    单位重量:4g

    场效应管的使用注意事项：

    (1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值.

    (2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性.如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等.

    (3)MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿.尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮.