美台场效应管,品质保证

    美台场效应管规格：

    制造商:DiodesIncorporated

    安装风格:SMD/SMT

    封装/箱体:SOT-323-3

    通道数量:1Channel

    晶体管极性:N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:100V

    Id-连续漏极电流:170mA

    RdsOn-漏源导通电阻:6Ohms

    Vgs-栅极-源极电压:20V

    最小工作温度:-55C

    最大工作温度:+150C

    配置:Single

    Pd-功率耗散:200mW(1/5W)

    通道模式:Enhancement

    封装:CutTape

    封装:MouseReel

    封装:Reel

    高度:1mm

    长度:2.2mm

    产品:MOSFETSmallSignal

    系列:BSS123W

    晶体管类型:1N-Channel

    类型:EnhancementModeFieldEffectTransistor

    宽度:1.35mm

    商标:DiodesIncorporated

    正向跨导-最小值:0.08S,0.37S

    CNHTS:8541210000

    下降时间:8ns

    HTSCode:8541100080

    MXHTS:85411001

    产品类型:MOSFET

    上升时间:8ns

    工厂包装数量:3000

    子类别:MOSFETs

    TARIC:8541100000

    典型关闭延迟时间:13ns

    典型接通延迟时间:8ns

    单位重量:5mg

    美台场效应管特点：

    低栅极阈值电压

    低输入电容

    快速切换速度

    低输入/输出泄漏

    高漏源电压额定值

    完全无铅且完全符合RoHS标准（注1和2）

    卤素和无锑。 “绿色”装置（注3）

    符合AEC-Q101高可靠性标准