意法MOS管
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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意法MOS管规格:
制造商:STMicroelectronics
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:TO-247-3
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600V
Id-连续漏极电流:17A
RdsOn-漏源导通电阻:220mOhms
Vgs-栅极-源极电压:25V
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
配置:Single
Pd-功率耗散:140W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:20.15mm
长度:15.75mm
系列:N-channelMDmesh
晶体管类型:1N-Channel
宽度:5.15mm
商标:STMicroelectronics
下降时间:48ns
产品类型:MOSFET
上升时间:16ns
工厂包装数量:600
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:70ns
典型接通延迟时间:18ns
单位重量:38g
意法MOS管特性:
100%雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低栅极输入电阻
极高的dv / dt和雪崩
STW21NM60ND
ST(意法半导体)
贴片
无铅环保型
直插式
卷带编带包装