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产品属性
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三极管2N7000属性:
制造商:
QG
产品种类:
MOSFET
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-92-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
200 mA
Rds On-漏源导通电阻:
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
配置:
Single
Pd-功率耗散:
400 mW
通道模式:
Enhancement
封装:
Bulk
高度:
5.33 mm
长度:
5.2 mm
产品:
MOSFET Small Signal
系列:
2N7000
晶体管类型:
1 N-Channel
类型:
FET
宽度:
4.19 mm
商标:
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值:
0.1 S
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
10000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
2N7000_NL
单位重量:
201 mg
三极管说明
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
2N7000
中性
TO-92
无铅环保型
直插式
单件包装
小功率
低频