手机瞬态抑制二极管

手机瞬态抑制二极管

　　手机瞬态抑制二极管SMFJ系列采用SOD-123FL表面贴装的封装，专门用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响。 与SMA封装相比，SOD-123FL封装的占位面积减小了50％，并且在业界提供低高度（1.1mm）。

　　手机瞬态抑制二极管参数：

　　类目：TVS二极管

　　反向关断电压（典型值）：6.5V

　　击穿电压（zui小值）：7.22V

　　极性：Unidirectional

　　箝位电压：11.2V

　　峰值脉冲电流（10/1000us）：17.8A

　　手机瞬态抑制二极管特征：

　　快速响应时间

　　内置的应变救济

　　低增量浪涌电阻

　　哑光锡无铅电镀

　　无卤素，符合RoHS要求

　　用于表面安装应用，以优化板空间

　　兼容工业标准封装SOD-123FL

　　200w峰值脉冲功率，10/1000μs波形，重复率(占空比)0.01%

　　高温焊接：260℃/10秒

　　手机瞬态抑制二极管电气符号：

　　手机瞬态抑制二极管力学特性：

　　在TA= 25℃时，10/1000μs：200W的峰值脉冲功耗

　　75℃时，无限散热片的功耗为1.0W

　　峰值正向浪涌电流，8.3ms单半正弦波：30A

　　工作温度范围：-55 ~ 150℃

　　储存温度范围：-55 ~ 150℃

　　电流-电压曲线特征：