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产品属性
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与
1MHz I2C
总线兼容
1.8
到
6.0
伏工作电压范围
低功耗
CMOS
技术
写保护功能当
WP
为高电平时进入写保护状态
64
字节页写缓冲器
自定时擦写周期
100,000
编程
/
擦写周期
可保存数据
100
年
8
脚
DIP SOIC
封装
温度范围商业级工业级和汽车级
概述
CAT24WC256
是一个
256K
位串行
CMOS
E2PROM
内部含有
32768
个字节每字节为
8
位
CATALYST
公司的先进
CMOS
技术实质上减少了器件的功耗
CAT24WC256
有一个
64
字节页写缓冲器
该器件通过
I2C
总线接口进行操作
与
1MHz I2C
总线兼容
1.8
到
6.0
伏工作电压范围
低功耗
CMOS
技术
写保护功能当
WP
为高电平时进入写保护状态
64
字节页写缓冲器
自定时擦写周期
100,000
编程
/
擦写周期
可保存数据
100
年
8
脚
DIP SOIC
封装
温度范围商业级工业级和汽车级
概述
CAT24WC256
是一个
256K
位串行
CMOS
E2PROM
内部含有
32768
个字节每字节为
8
位
CATALYST
公司的先进
CMOS
技术实质上减少了器件的功耗
CAT24WC256
有一个
64
字节页写缓冲器
该器件通过
I2C
总线接口进行操作
与1MHz I2C 总线兼容 1.8 到6.0 伏工作电压范围 低功耗CMOS 技术 写保护功能当WP 为高电平时进入写保护状态 64 字节页写缓冲器 自定时擦写周期 100,000 编程/擦写周期 可保存数据100 年 8 脚DIP SOIC 封装 温度范围商业级工业级和汽车级 概述 CAT24WC256 是一个256K 位串行CMOS E2PROM 内部含有32768 个字节每字节为8 位 CATALYST 公司的先进CMOS 技术实质上减少了器件的功耗CAT24WC256 有一个64 字节页写缓冲器 该器件通过I2C 总线接口进行操作工作温度工业级-55 +125
贮存温度-65 +150
各管脚承受电压-2.0V Vcc+2.0V
Vcc 管脚承受电压-2.0V +7.0V