进口闪存芯片S29GL01GP11FFIR10 BGA64

产品种类:NOR闪存
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:BGA-64
系列:S29GL-P
存储容量:1 Gbit
接口类型:Parallel
组织:128 M x 8
定时类型:Asynchronous
数据总线宽度:8 bit
电源电压-最小:2.7 V
电源电压-最大:3.6 V
电源电流—最大值:110 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
封装:Tray
存储类型:NOR
速度:110 ns
结构:Sector
商标:Cypress Semiconductor
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:170.200 mg

闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：

●NOR的读速度比NAND稍快一些。

●NAND的写入速度比NOR快很多。

●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

●NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。