供应SI4435DDY-T1-GE3

数据列表Si4435DDY

标准包装  2,500包装  标准卷带 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）24 毫欧 @ 9.1A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）50nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1350pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），5W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）