供应IRFP350PBF
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FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)400V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)16A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)300 毫欧 @ 9.6A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)150nC @ 10VVgs(最大值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2600pF @ 25VFET 功能-功率耗散(最大值)190W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3封装/外壳TO-247-3
IRFP350PBF
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IRFP350PBF
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TO247
10000