SCMT224K122H8N29-F_CDE突波吸收电容

SCMT224K122H8N29-F

美国CDE SCMT型 IGBT突波吸收盒装电容器

*原装价格优惠咨询鲍先生

本公司为一般纳税人可开17%*

特点：可直接安装在IGBT上    一条或者两条引线可连接到电阻上
         低电感                UL94VO阻燃环氧树脂封装
         低损耗                各种间距的电容器可供选择
         内装快恢管            使用*材料

用途：使用SCMT型目的就像是放电限制分离耦合，是保护双IGBT模块。
SCMT型也是有“N”型或“P”型突波吸收电容，各对一个IGBT.。

品牌/商标

CDE

型号/规格

SCMT224K122H8N29-F

介质材料

钽电解

应用范围

高压

外形

方块状

功率特性

大功率

频率特性

高频

调节方式

固定

引线类型

无引线

允许偏差

&plu*n;10（%）

耐压值

1000（V）

标称容量

0.22（uF）

额定电压

1200（V）