43K 0603 0.1%精密电阻 /千分之一贴片电阻

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在真空蒸发工艺中，系统真空度是直接影响成膜质量的关键。为了使蒸发原子或分子能淀积在离开蒸发源一定距离的衬底上，真空室的真空度通常应优于6×10-2帕，制作铝膜需要在1×10-3帕以上，制作高纯薄膜须优于10-8帕（见真空获得技术、真空测量技术）。　加热　在真空室中,被加热材料的蒸气压在1帕以上时才会产生明显的蒸发。为此，常常需要把材料加热到1000～2000;对于一些难熔材料,甚至要加热到3000左右。常用的加热方式有两种：①直接加热。将高熔点导体（如钼、钽、钨或石墨、氮化硼和硼化钛的混合物等）制成各种形状的篮或舟，把蒸发材料置于其上，通强电流使之升温蒸发。