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千分之一精度国巨电阻,千分之五精度国巨电阻,YAGEO 25PPM温漂电阻,YAGEO 50PPM温度系数电阻
RT0805BRD071KL RT0805BRD071K1L RT0805BRD071K2L RT0805BRD071K3L RT0805BRD071K5L RT0805BRD071K6L RT0805BRD071K8L RT0805BRD072KL RT0805BRD072K2L RT0805BRD072K4L RT0805BRD072K7L RT0805BRD073KL RT0805BRD073K3L RT0805BRD073K6L RT0805BRD073K9L RT0805BRD074K3L RT0805BRD074K7L RT0805BRD075K1L RT0805BRD075K6L RT0805BRD076K2L RT0805BRD076K8L RT0805BRD077K5L RT0805BRD078K2L RT0805BRD079K1L
我们知道,浸镀的保护性钝化层的不重合也可能会使得硫污染的影响更为严重。在这种情况下,降低浸渡工艺的速度可以将这种效应降至,但这样做也会增加制造成本并降低制造产能。因为薄膜内部端接不受硫污染的影响,所以这一工艺的精度并不重要。
很明显,就其内部端接而言,薄膜电阻器技术可以更好地抵抗硫污染。除此之外,采用薄膜技术的电阻器也具有整体稳定性、更低的噪声以及更低的寄生电容和电感(取决于电阻值)。常见的薄膜电阻器,它比厚膜片状电阻器有显著的改善特别较大阻值。
RT0805BRD079K1L
YAGEO(国巨)
无铅环保型
精密电子仪器仪表
小功率(<1W)
高型(≤1%)
片状型
无引出线
卷带编带包装