固态放电管

地区:江苏 常州
认证:

常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

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  固态放电管参数:


Type 

IPP(A)
10/1000μS 

IPP(A)
8/20μS 

IFSM(A) 

IRM@VVR(μA) 

VRM(V) 

VBR(V) 

IBR(mA) 

VBO(V)
Max 

IBO(mA)
Max 

IH(mA)
Min 

Case Style 

SMTPA180 

50 

100 

30 

162 

180 

240 

800 

150 

DO-214AA 

SMTPA200 

50 

100 

30 

180 

200 

267 

800 

150 

DO-214AA 

SMTPA220 

50 

100 

30 

198 

220 

293 

800 

150 

DO-214AA 

SMTPA240 

50 

100 

30 

216 

240 

320 

800 

150 

DO-214AA 

TPA180 

50 

100 

30 

162 

180 

240 

800 

150 

DO-15 

TPA200 

50 

100 

30 

180 

200 

267 

800 

150 

DO-15 

TPA220 

50 

100 

30 

198 

220 

293 

800 

150 

DO-15 

TPA240 

50 

100 

30 

216 

240 

320 

800 

150 

DO-15 


  应用领域:

  广泛应用于通讯交换设备中的程控交换机、机、传真机、配线架、XDSL、通讯接口、通讯发射设备等一切需要防雷保护的领域,以保护其内部的IC免受瞬间过电压的冲击和破坏。在当今世界微电子及通讯设备高速发展的今天,固态放电管已成为世界通讯设备的首选器件。


  选用方法:

  选用半导体放电管应注意以下几点:

  1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应大于25A。

  2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。

  3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。

  4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。

  5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。

  设备展示:

  


  公司简介:

  常州市中光电器有限公司地处中国制造业蓬勃发展的江苏省常州市,公司是专业的二极管及桥堆生产厂家,下辖常州市中川电子有限公司和安徽中鑫半导体有限公司。常州市中川电子有限公司是以硅片、MOS管为主产品的科技贸易公司;安徽中鑫半导体有限公司于2011年5月在安徽省郎溪经济开发区正式投产,形成了集科工贸一体的股份合作制企业。
公司具备强劲的技术开发能力,先进的制造设备、完善的检测手段及全面的售后服务,通过了 ISO9001:2000质量体系管理认证、SGS 环保检测认证及CTI认证,从而为客户提供优质的产品和高效的服务。
我公司拥有自主品牌"ZG"商标,产品广泛应用于军工及民用领域,为国内多家彩电、节能灯具、彩电、开关电源、充电器、控制器、音响等生产厂家提供配套服务,并远销欧美及东南亚地区,在客户中取得了良好的信誉。

 

  公司目标:
  为客户提供性价比最好的二极管全系列产品是全体员工的神圣使命
  公司愿景:
  将公司打造成为国际一流的半导体分立器件供应商
  公司方针:
  以人为本 顾客至上

型号/规格

全系列

品牌/商标

中光

封装形式

DO-214AA

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装