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产品属性
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固态放电管参数:
Type | IPP(A) | IPP(A) | IFSM(A) | IRM@VVR(μA) | VRM(V) | VBR(V) | IBR(mA) | VBO(V) | IBO(mA) | IH(mA) | Case Style |
SMTPA180 | 50 | 100 | 30 | 2 | 162 | 180 | 1 | 240 | 800 | 150 | DO-214AA |
SMTPA200 | 50 | 100 | 30 | 2 | 180 | 200 | 1 | 267 | 800 | 150 | DO-214AA |
SMTPA220 | 50 | 100 | 30 | 2 | 198 | 220 | 1 | 293 | 800 | 150 | DO-214AA |
SMTPA240 | 50 | 100 | 30 | 2 | 216 | 240 | 1 | 320 | 800 | 150 | DO-214AA |
TPA180 | 50 | 100 | 30 | 2 | 162 | 180 | 1 | 240 | 800 | 150 | DO-15 |
TPA200 | 50 | 100 | 30 | 2 | 180 | 200 | 1 | 267 | 800 | 150 | DO-15 |
TPA220 | 50 | 100 | 30 | 2 | 198 | 220 | 1 | 293 | 800 | 150 | DO-15 |
TPA240 | 50 | 100 | 30 | 2 | 216 | 240 | 1 | 320 | 800 | 150 | DO-15 |
应用领域:
广泛应用于通讯交换设备中的程控交换机、机、传真机、配线架、XDSL、通讯接口、通讯发射设备等一切需要防雷保护的领域,以保护其内部的IC免受瞬间过电压的冲击和破坏。在当今世界微电子及通讯设备高速发展的今天,固态放电管已成为世界通讯设备的首选器件。
选用方法:
选用半导体放电管应注意以下几点:
1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。
设备展示:
公司简介:
常州市中光电器有限公司地处中国制造业蓬勃发展的江苏省常州市,公司是专业的二极管及桥堆生产厂家,下辖常州市中川电子有限公司和安徽中鑫半导体有限公司。常州市中川电子有限公司是以硅片、MOS管为主产品的科技贸易公司;安徽中鑫半导体有限公司于2011年5月在安徽省郎溪经济开发区正式投产,形成了集科工贸一体的股份合作制企业。
公司具备强劲的技术开发能力,先进的制造设备、完善的检测手段及全面的售后服务,通过了
ISO9001:2000质量体系管理认证、SGS 环保检测认证及CTI认证,从而为客户提供优质的产品和高效的服务。
我公司拥有自主品牌"ZG"商标,产品广泛应用于军工及民用领域,为国内多家彩电、节能灯具、彩电、开关电源、充电器、控制器、音响等生产厂家提供配套服务,并远销欧美及东南亚地区,在客户中取得了良好的信誉。
公司目标:
为客户提供性价比最好的二极管全系列产品是全体员工的神圣使命
公司愿景:
将公司打造成为国际一流的半导体分立器件供应商
公司方针:
以人为本
顾客至上
全系列
中光
DO-214AA
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装