IR*效应管 MOS管 IRF1404 IRF1404PBF 长期供应 只做原装

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数据列表 IRF1404PbF
 
产品相片 TO-220AB PKG
 
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
 
标准包装 50
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 Standard
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 4 毫欧 @ 121A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 40V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 202A
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 196nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  5669pF @ 25V
 
功率 - *大 333W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
 

 
其它名称 *IRF1404PBF

 
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IR IRF1404 IRF1404PBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-ARR/陈列组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

40(V)

夹断电压

10(V)

跨导

10(μS)

*间电容

5669(pF)

低频噪声系数

10(dB)

漏*电流

121(mA)

耗散功率

333(mW)