优势大容量贴片电容1210-106K-25V

优势主打（高压贴片电容、高容贴片电容）：

公司成立于2004年，主要致力于*SMD系列电子元件的销售与配套服务，高压电容的研发销售。多年来，通过努力的渠道架设及一贯的诚信保持，我们得到了原厂强有力的支持，为国内外的电子公司提供了便利、完善、快捷的销售服务工作。在业内一直处于佼佼者的*。

代理经销的产品线：贴片电容（高压贴片电容、髙容贴片电容），贴片电阻，贴片铝电解电容，贴片钽电容，贴片叠层电感器，贴片磁珠，全系列电晶体，等...

 积*面对市场及客户的多方位要求，坚持以*好的品牌和*具竞争力的价格销售电子*件，为客户提供多元化的服务，务求充分满足客户的要求,

致力于成为*性*的SMD元件代理商之一。

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1206:102K 103K 104K 104M 105M
474K 471K 472K 473K 683M 225K 225M 475K 475M 106K 106M
203M 473M 153M 223M 333M 226K 226K 476M
152K 221K 684K 681K 821K
362K 224K 10P 1P 2P *
4P 5P 6P 7P 8P 9P 40P
0.5P 1.5P 2.2P 20P 22P
24P 27P 3* 100p 47P 68P
0805:104M 102K 103K 104K 681K
684K 221K 272K 331K 471K 225K 225M 475K 475M 106K 106M
223K 472K 122K 403M 153K 226K 226K 476M
18P 1.8P 20P 22P 30P 120P
0.5P 2.2P 68P 24P 3* 15P
502K 223M 153M 563M 683M
273M 684M 561K 152K 222K
391K 472K 403M 333M 15P
0603:104M 102K 103K 104K 105M 16V
222K 331K 361K 471K 472K 225K 225M 475K 475M 106K 106M
221K 22P 20P 10P 2P 6P
6P 12P 7P 8P 12P 2.2P
0.5P 15P 32P 30P 24P 100P
8P 10P 0.8P 122K 68P 153K
0402:104M 102K 103K 104K 471K
222K 472K 2P * 4P 5P 6P 105z 105K
7P 68P 3* 18P 64P 40P 8P
8P 9P 10P 20P 22P 30P 100P
0.5P 2.2P等系列,电压有50V.25V,16V,10V,100V250V500V,1KV,2KV,3KV...
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产品详解：

MLCC（片状多层陶瓷电容）现在已经成为了电子电路*常用的元件之一。

多层片状陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，一般来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一NPO电容器
NPO是一种*常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它*氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗*稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0&plu*n;30ppm/℃，电容量随频率的变化小于&plu*n;0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于&plu*n;0.05%，相对大于&plu*n;2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于&plu*n;0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封装   DC=50V             DC=100V
0805 0.5---1000pF       0.5---820pF
1206 0.5---1200pF       0.5---1800pF
---5600pF       560---2700pF
pF---0.033μF  1000pF---0.018μF

NPO

电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。


二X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也*间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

封装    DC=50V          DC=100V
pF---0.056μF 330pF---0.012μF
pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF   0.01μF---0.56μF


三Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里*先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和*。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有*大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率*大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（*L）和等效串联电阻（*R）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

封装       DC=25V          DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF    0.01μF---1μF

Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 10℃--- 85℃
温度特性 22% ---- -56%
介质损耗*大4%


四Y5V电容器
Y5V电容器是一种有*温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出*4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值范围如下表所示

封装     DC=25V            DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF    0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF   0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF  0.68μF---1.5μF

Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围-30℃--- 85℃
温度特性 22% ---- -82%
介质损耗*大5%

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