高频高压贴片电容1808 10PF J 3KV NP0（高频无*灯*）

优势主打（高压贴片电容、高容贴片电容）：

公司成立于2004年，主要致力于*SMD系列电子元件的销售与配套服务，高压电容的研发销售。多年来，通过努力的渠道架设及一贯的诚信保持，我们得到了原厂强有力的支持，为国内外的电子公司提供了便利、完善、快捷的销售服务工作。在业内一直处于佼佼者的*。

代理经销的产品线：贴片电容（高压贴片电容、髙容贴片电容），贴片电阻，贴片铝电解电容，贴片钽电容，贴片叠层电感器，贴片磁珠，全系列电晶体，等...

 积*面对市场及客户的多方位要求，坚持以*好的品牌和*具竞争力的价格销售电子*件，为客户提供多元化的服务，务求充分满足客户的要求,

致力于成为*性*的SMD元件代理商之一。

产品应用领域：

高压贴片电容用于:照明电源产品，高低频无*灯电源,通讯电源交换机，LED日光灯恒流驱动电源,汽车HID灯(安定器),模块电源、*电源，LED阻容降压,、ASDL语音分离器、RJ45以太网接口、数码相机的闪光灯、LED圣诞灯,*灯等以及各类电子产品中.

LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容规格

高压陶瓷贴片电容-可代替传统插件电容缩小电源体积(LED电源*)
规格主要有:
102/1KV 1206封装

222/1KV 1206封装

472/1KV 1206封装

103/1KV 1206封装
2.2u/100V 1812封装

473/250V 1206封装

473/630V 1206封装
10u/16V 1206封装

10u/25V 1210封装

22u/10V 1206封装

22U/16V 1210封装

以上都为X7R或X5R材质，容量精度为10%

LED阻容降压用-（代替插件CBB）

250V封装

250V封装

250V封装

250V封装

250V封装

500V封装

400V封装

400V封装

以上都为X7R材质，耐125度高温

无*灯
我司*生产高压高频贴片电容-高频无*灯*(代替CBB)
规格主要有:
1KV NP。
100P 3KV NP0 1808/1812封装

220P 3KV NP0 1808或1812封装-

820P 2KV NP0 1812封装
102 2KV NP0 1812封装

100P 1KV NP0 1206封装

220P 1KV NP0 1206封装

470P 1KV NP0 1206封装

102 1KV NP0 1206封装

0.47u 100V X7R 1206封装

0.68u 100V X7R 1206封装

*灯

高压贴片电容-代替插件瓷片和薄膜电容缩小体积(*灯*)
规格主要有:
223/100V 1206封装
102/1KV 1206封装
152/1KV 1206封装
332/1KV 1206封装
222/1KV 1206封装
250V/封装
400V/封装

HID灯常用高压贴片电容和大容量贴片电容规格如下：

1KV 100p 1206封装
1KV封装
1KV封装
1KV封装
1KV封装
1KV封装
630V封装
10U/25V 1210封装

10U/50V 1210封装

以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。

损耗（DF）小于2。5%

可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积

TDK原装新货大量供应

C2012C0G1H472J 0805 50V 472J

C3216X5R1C106KV 106K

C3216X7R1H474KV 474K

C3216X7R1H684KV 684K

C3216X7R1H105KK 50V

C3225X7R1H335KK 50V

C3225X7R1E106KV 106K

C3225X5R1C226KK 16V

*532X7R2A105KK 100V

*532X7R1H475KV 475K

*532X7R1E106KV 106K

*532X5R1E226M 1812 25V 226M

C5750X7R1H106KK 50V

MOB:

QQ:305403516

 热诚欢迎新老顾客前来洽谈！

产品详解：

MLCC（片状多层陶瓷电容）现在已经成为了电子电路*常用的元件之一。

多层片状陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，一般来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一NPO电容器
NPO是一种*常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它*氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗*稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0&plu*n;30ppm/℃，电容量随频率的变化小于&plu*n;0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于&plu*n;0.05%，相对大于&plu*n;2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于&plu*n;0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封装   DC=50V             DC=100V
0805 0.5---1000pF       0.5---820pF
1206 0.5---1200pF       0.5---1800pF
---5600pF       560---2700pF
pF---0.033μF  1000pF---0.018μF

NPO

电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。


二X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也*间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

封装    DC=50V          DC=100V
pF---0.056μF 330pF---0.012μF
pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF   0.01μF---0.56μF


三Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里*先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和*。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有*大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率*大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（*L）和等效串联电阻（*R）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

封装       DC=25V          DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF    0.01μF---1μF

Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 10℃--- 85℃
温度特性 22% ---- -56%
介质损耗*大4%


四Y5V电容器
Y5V电容器是一种有*温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出*4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值范围如下表所示

封装     DC=25V            DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF    0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF   0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF  0.68μF---1.5μF

Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围-30℃--- 85℃
温度特性 22% ---- -82%
介质损耗*大5%

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