N沟MOSFET：MEM2302场效应管

描述:
MEM2302系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。MEM2302XG适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

特点:
●20V/3A
●RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V，ID=3A
●RDS(ON) =36mΩ@VGS=2.5V，ID=2A
●*密度单元、*小的RDS(ON)）
●*小封装：SOT23

应用:
●电池电源管理
●*开关
●低功率DC/DC转换

引脚排列: