BSM100GB120DN2KHOSA1 晶体管 - IGBT - 模块

BSM100GB120DN2KHOSA1  产品信息：

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

BSM100GB120DN2KHOSA1

描述

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

一般信息

标准包装   10

零件状态 不適用於新設計

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - IGBT - 模块

系列 -

其它名称 BSM100GB120DN2K

SP000101733

规格

IGBT 类型 -

配置 半桥

电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 145A

功率 - 最大值 700W

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 3V @ 15V，100A

电流 - 集电极截止（最大值） 2mA

不同 Vce 时的输入电容（Cies） 6.5nF @ 25V

输入 标准

NTC 热敏电阻 无

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 底座安装

封装/外壳 模块

供应商器件封装 模块

产品实图拍摄：

自营仓库：

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公司介绍：

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